Успенский Юрий Алексеевич

/ 9 июля, 2021/ *

Доктор физ.-мат. наук, главный научный сотрудник ФИАН,

Вид научной деятельности
-теоретическая физика ,
-численное моделирование.

Область физики, в рамках которой проводятся научно-исследовательские работы
физика наноструктур, теория конденсированного состояния

Отдел/лаборатория/Общее название темы
ОТФ, лаборатория теории сверхпроводимости и статистической физики сложных систем, Физика конденсированного состояния: новых материалов, молекулярных и твердотельных структур , наноэлектроники и спинтроники

Краткое Описание основных направлений исследований
Основным направлением исследований является численные расчеты, прогнозирование и изучение свойств новых материалов для широкого круга приложений (нанотехнология, наноэлектроника, спинтроника, нанокатализ и др.) с помощью квантовомеханических расчетов из «первых принципов» на основе теории функционала плотности. В ходе исследований затрагиваются многие вопросы фундаментальной теории, что позволяет понять связь между отдельными расчетными результатами, между расчетами и экспериментом и дать на этой основе достаточно полную картину изучаемого явления. Характерными примерами наших исследований являются: изучение условий появления магнетизма в нанообъектах [1], исследование последовательных стадий окисления кластеров кремния [4], развитие техники численных расчетов больших массивов нанокластеров [8] и изучение ловушек заряда в наночастицах CdSe..

Ключевые публикации за последние 5 лет

  • Yu.A. Uspenskii, E.V. Tikhonov, N.L. Matsko N.L., “The criterion of magnetism in semiconductor nanoobjects”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 383, 100-103 (2015), DOI: 10.1016/j.jmmm.2014.10.099
  • Е.В. Тихонов, Ю.А. Успенский, Д.Р. Хохлов, «Вычисление спектра квазичастичных электронных возбуждений в органических молекулярных полупроводниках», ЖЭТФ, 147, N 5, 1-9 (2015), DOI: 10.7868/S0044451015060208
  • E.T. Kulatov, V.N. Men’shov, V.V. Tugushev and Yu.A. Uspenskii “Electron and magnetic properties of three-dimensional magnetic topological insulators Bi2Se3:Cr and Bi2Se3:Fe”, EPL, 115, 67004-67010 (2016): doi: 10.1209/0295-5075/115/67004.
  • S. Lepeshkin, V. Baturin, E. Tikhonov, N. Matsko, Yu. Uspenskii, A. Naumova, O. Feya, M. Schoonen and A. Oganov “Super-oxidation of silicon nanoclusters: magnetism and reactive oxygen species at the surface”, Nanoscale, 8, 18616-18620 (2016): doi: 10.1039/C6NR07504E.
  • V. S. Baturin, Yu. A. Uspenskii, S. V. Lepeshkin, N. A. Fokina, E. V. Tikhonov “Spin ordering in semiconductor nanoparticles without magnetic element atoms”, JMMM, 459 272-275 (2018), DOI: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.10.073.
  • O. D. Feya, Q. Wang, S. V. Lepeshkin, V. S. Baturin, Y. A. Uspenskii, A. R. Oganov “Tetrahedral honeycomb surface reconstructions of quartz, cristobalite and stishovite”, Scientific reports, 8, 11947-11954 (2018) 8:11947, DOI:10.1038/s41598-018-29853-1.
  • E. T. Kulatov, V. N. Men’shov, V. V. Tugushev, and Yu. A. Uspenskii “Features of the electronic structure of the Bi2Se3 topological insulator digitally doped with 3d transition metals”, JETP Letters, v. 109, 102-108 (2019), doi: 10.1134/S0021364019020097
  • S. V. Lepeshkin, V. S. Baturin, Yu. A. Uspenskii and A. R. Oganov “Method for simultaneous prediction of atomic structure and stability of nanoclusters in a wide area of compositions” J. Phys. Chem. Lett. v. 10, p. 102−106 (2019), https://pubs.acs.org/doi/ 10.1021/acs.jpclett.8b03510
  • V. S. Baturin, S. V. Lepeshkin, N. A. Bushlanova and Yu. A. Uspenskii “Atomistic origins of charge traps in CdSe nanoclusters”, Phys.Chem.Chem.Phys., v. 22, 26299-26305 (2020), DOI: 10.1039/d0cp05139j

Контактная информация

тел.: +7(499) 132-60-79
тел.+7 (903) 626-60-63
e-mail: uspenskijya@lebedev.ru, uspenski@lpi.ru